Lam Research 产品库（Vector,ALTUS,SPEED…）

RELIANT沉积产品

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)

 HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HDP-CVD) 

PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) 

沉积工艺贯穿整个芯片制造过程，其作用是在硅片表面敷设不同的导电和绝缘材料，形成半导体器件的组件和导线。对于非传统型芯片市场 ，如微机电系统（MEMS）和功率器件，众多结构形状和不同的材料都涉及不同的制造需求。

泛林集团Reliant® 沉积产品系列包括经过生产验证的沉积解决方案，可为这些应用提供所需的工艺灵活性、可靠性能、高产率和低持有成本。

Industry Challenges

近年来，半导体工业已经延伸到一些新的细分领域，如MEMS、电源芯片、射频（RF） 滤波器、CMOS图像传感器（CIS） 等，它们能够实现更好的连接性、更强大的成像能力以及其他以市场为驱动的性能。由于制造过程的多样性需求，沉积工艺必须能够满足多种材料和性能要求。此外，相比先进技术节点的芯片设计，这些芯片的部分机构较大、复杂性较低，通常不需要采用最新的沉积工艺。因此，这些细分领域面临的一个关键挑战就是，如何在高性能设备上实现低成本生产 （包括高产率和低持有成本），改善沉积均匀性、膜应力控制和缺陷率。

Key Customer Benefits

• 利用多点序列沉积（MSSD） 增加了灵活性，可满足多种工艺需求

• 增强硅片表面膜的均匀性

• 可重复的膜属性，具有出色的应力稳定性

• 高产率和高效的硅片处理设计，可实现高产率

• 经过生产验证的低拥有成本解决方案，支持150 mm至300 mm硅片生产

Product Offerings

• Concept Two® ALTUS® (200 mm)

• Concept Two® SEQUEL® (200 mm, 150 mm)

• Concept Two® SPEED® (200 mm)

• SPEED® Max (300 mm)

• VECTOR® (300 mm, 200 mm)

Key Applications

• 化学气相沉积 （CVD） 钨

• 高密度等离子体 （HDP） 化学气相沉积间隙填充氧化物

• 等离子加强化学气相沉积（PECVD） 硅烷氧化物、氮化物和氧氮化物

• 等离子加强化学气相沉积正硅酸乙酯氧化物

• 掺杂氧化物 （硼、磷）

SABRE 3D产品系列

PRODUCTS

ELECTROCHEMICAL DEPOSITION (ECD)

通过沉积铜和其他金属可形成电气连接，用于先进硅片级封装（WLP） 和硅通孔（TSV）结构。这些微型导电构件有助于缩小器件的整体尺寸，生产出更小、更快、更强大的移动电子设备。

SABRE® 3D系列将泛林集团可靠的SABRE Electrofill® 技术与其他创新技术相结合，可提供硅片级封装和硅通孔应用所需的高质量薄膜，且具有高生产效率。

Industry Challenges

铜及其他金属电镀工艺适用于多种先进硅片级封装应用（如形成导电凸块和重布层）以及硅通孔填充。虽然与后端（BEOL）大马士革铜填充类似，硅片级封装和硅通孔电镀处理的级别要大得多——沉积的薄膜为微米级（10-6 m）而非埃级（10-10 m）。这通常需要较长的沉积时间，处理也涉及多个步骤。相应的挑战包括：在高电镀速率下提高硅片内均匀性和片内共面性，降低持有成本，尽量减少缺陷，使微凸块和焊点可靠、无孔洞。

Key Customer Benefits

• 先进电镀槽技术，更快的电镀速率，不会影响芯片内和硅片内均匀性

• 硬件和工艺旋钮，可提高芯片良率和系统产量

• 基于多个电镀槽和前期/后期处理槽的模块化架构，极其灵活，可满足多种封装应用的需求

• 低拥有成本，适用于成本敏感型环境，所用技术能大幅降低SnAg化学材料成本

Product Offerings

• SABRE® 3D

• SABRE® 3D xT

Key Applications

• 硅通孔

• 铜柱

• 重布层（RDL）

• 球下金属化（UBM）

• 有铅或无铅C4凸块

• Cu/SnAg和Ni/Au微型凸块

• 高密度扇出（HDFO）应用（大柱、重布层、二合一通孔、微柱）